G05N06S2
Numéro de produit du fabricant:

G05N06S2

Product Overview

Fabricant:

Goford Semiconductor

DiGi Electronics Numéro de pièce:

G05N06S2-DG

Description:

MOSFET 2N-CH 60V 5A 8SOP
Description détaillée:
Mosfet Array 60V 5A (Tc) 3.1W (Tc) Surface Mount 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Inventaire:

20000 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12988196
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SOUMETTRE

G05N06S2 Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET Arrays
Fabricant
Goford Semiconductor
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
TrenchFET®
État du produit
Active
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Fonctionnalité FET
Standard
Tension de vidange à la source (Vdss)
60V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
5A (Tc)
rds activé (max) @ id, vgs
35mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
26nC @ 10V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1374pF @ 30V
Puissance - Max
3.1W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Emballage / Caisse
8-SOP
Ensemble d’appareils du fournisseur
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Numéro de produit de base
G05N

Informations supplémentaires

Forfait standard
4,000
Autres noms
4822-G05N06S2TR

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
RoHS non-compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
3 (168 Hours)
Statut REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
infineon-technologies

IRF40H233ATMA1

MOSFET 2N-CH 40V 65A 8TDSON

diodes

DMN5L06VKQ-13

MOSFET 2N-CH 50V 0.28A SOT563

microchip-technology

MSCSM120HM50T3AG

SIC 4N-CH 1200V 55A