Accueil
Produits
Fabricants
À propos de DiGi
Contactez-nous
Blogs et Articles
Demande de devis
France
Se connecter
Langue sélective
Langue actuelle de votre choix :
France
Interrupteur:
Anglais
Europe
Royaume-Uni
France
Espagne
Turquie
Moldavie
Lituanie
Norvège
Allemagne
Portugal
Slovaquie
ltaly
Finlande
Russe
Bulgarie
Danemark
Estonie
Pologne
Ukraine
Slovénie
Tchèque
Grec
Croatie (Hrvatska)
Israël
Serbie
Biélorussie
Pays-Bas
Suède
Monténégro
Basque
Islande
Bosnie
Hongrois
Roumanie
Autriche
Belgique
Irlande
Asie / Pacifique
Chine
Viêt Nam
Indonésie
Thaïlande
Laos
Filipino
Malaisie
Corée
Japon
Hong Kong
Taiwan
Singapour
Pakistan
Arabie Saoudite
Qatar
Koweït
Cambodge
Myanmar
Afrique, Inde et Moyen-Orient
Émirats arabes unis
Tadjikistan
Madagascar
Inde
Iran
RD Congo
Afrique du Sud
Égypte
Kenya
Tanzanie
Ghana
Sénégal
Maroc
Tunisie
Amérique du Sud / Océanie
Nouvelle-Zélande
Angola
Brésil
Mozambique
Pérou
Colombie
Chili
Venezuela
Équateur
Bolivie
Uruguay
Argentine
Paraguay
Australie
Amérique du Nord
États-Unis
Haïti
Canada
Costa Rica
Mexique
À propos de DiGi
À propos de nous
À propos de nous
Nos Certifications
DiGi Introduction
Pourquoi DiGi
Politique
Politique de qualité
Conditions d'utilisation
Conformité RoHS
Processus de Retour
Ressources
Catégories de produits
Fabricants
Blogs et Articles
Services
Garantie de qualité
Mode de paiement
Expédition mondiale
Tarifs d'expédition
FAQ
Numéro de produit du fabricant:
G05N06S2
Product Overview
Fabricant:
Goford Semiconductor
DiGi Electronics Numéro de pièce:
G05N06S2-DG
Description:
MOSFET 2N-CH 60V 5A 8SOP
Description détaillée:
Mosfet Array 60V 5A (Tc) 3.1W (Tc) Surface Mount 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Inventaire:
20000 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12988196
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
*
Société
*
Nom du contact
*
Téléphone
*
E-mail
Adresse de livraison
Message
(
*
) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE
G05N06S2 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET Arrays
Fabricant
Goford Semiconductor
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
TrenchFET®
État du produit
Active
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Fonctionnalité FET
Standard
Tension de vidange à la source (Vdss)
60V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
5A (Tc)
rds activé (max) @ id, vgs
35mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
26nC @ 10V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1374pF @ 30V
Puissance - Max
3.1W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Emballage / Caisse
8-SOP
Ensemble d’appareils du fournisseur
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Numéro de produit de base
G05N
Informations supplémentaires
Forfait standard
4,000
Autres noms
4822-G05N06S2TR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
RoHS non-compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
3 (168 Hours)
Statut REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
IRF40H233ATMA1
MOSFET 2N-CH 40V 65A 8TDSON
FF1MR12KM1H
MOSFET
DMN5L06VKQ-13
MOSFET 2N-CH 50V 0.28A SOT563
MSCSM120HM50T3AG
SIC 4N-CH 1200V 55A