Numéro de produit du fabricant:
G04P10HE
Product Overview
Fabricant:
Goford Semiconductor
DiGi Electronics Numéro de pièce:
G04P10HE-DG
Description:
MOSFET P-CH ESD 100V 4A SOT-223
Description détaillée:
P-Channel 4A (Tc) 1.2W (Tc) Surface Mount SOT-223
Inventaire:
20000 Pièces Nouvelles Originales En Stock
13001634
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SOUMETTRE
G04P10HE Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Goford Semiconductor
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
TrenchFET®
État du produit
Active
FET Type
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Courant - drain continu (id) @ 25°C
4A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
200mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.8V @ 250µA
Vgs (max.)
±20V
Fonctionnalité FET
Standard
Dissipation de puissance (max.)
1.2W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
SOT-223
Emballage / Caisse
TO-261-4, TO-261AA
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
2,500
Autres noms
4822-G04P10HETR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
RoHS non-compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
3 (168 Hours)
Statut REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
SISHA18ADN-T1-GE3
N-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET POWE
PSMN2R1-30YLEX
PSMN2R1-30YLE/SOT669/LFPAK
DMN39M1LFVW-7
MOSFET BVDSS: 25V~30V POWERDI333
