PSMN2R1-30YLEX
Numéro de produit du fabricant:

PSMN2R1-30YLEX

Product Overview

Fabricant:

Nexperia USA Inc.

DiGi Electronics Numéro de pièce:

PSMN2R1-30YLEX-DG

Description:

PSMN2R1-30YLE/SOT669/LFPAK
Description détaillée:
N-Channel 30 V 160A (Ta) 124W (Ta) Surface Mount LFPAK56, Power-SO8

Inventaire:

1390 Pièces Nouvelles Originales En Stock
13001643
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SOUMETTRE

PSMN2R1-30YLEX Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Nexperia
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
30 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
160A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
7V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
2.17mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
64 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
3749 pF @ 15 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
124W (Ta)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
LFPAK56, Power-SO8
Emballage / Caisse
SC-100, SOT-669

Fiche technique & Documents

Fiche de Données HTML
Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard
1,500
Autres noms
5202-PSMN2R1-30YLEXTR
1727-PSMN2R1-30YLEXTR
1727-PSMN2R1-30YLEXCT
934664066115
1727-PSMN2R1-30YLEXDKR

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
diodes

DMN39M1LFVW-7

MOSFET BVDSS: 25V~30V POWERDI333

micro-commercial-components

MCP150N06A-BP

MOSFET N-CHANNEL MOSFET

icemos-technology

ICE11N70

Superjunction MOSFET

icemos-technology

ICE60N130

Superjunction MOSFET