Numéro de produit du fabricant:
G2R1000MT33J
Product Overview
Fabricant:
GeneSiC Semiconductor
DiGi Electronics Numéro de pièce:
G2R1000MT33J-DG
Description:
SIC MOSFET N-CH 4A TO263-7
Description détaillée:
N-Channel 3300 V 4A (Tc) 74W (Tc) Surface Mount TO-263-7
Inventaire:
3884 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12977936
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SOUMETTRE
G2R1000MT33J Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
GeneSiC Semiconductor
Emballage
Tube
Série
G2R™
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
SiCFET (Silicon Carbide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
3300 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
4A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
20V
rds activé (max) @ id, vgs
1.2Ohm @ 2A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 2mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
21 nC @ 20 V
Vgs (max.)
+20V, -5V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
238 pF @ 1000 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
74W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-263-7
Emballage / Caisse
TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Numéro de produit de base
G2R1000
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
50
Autres noms
1242-G2R1000MT33J
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
RoHS Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
SCT4026DEC11
750V, 26M, 3-PIN THD, TRENCH-STR
SCT3120AW7TL
SICFET N-CH 650V 21A TO263-7
SCT3060AW7TL
SICFET N-CH 650V 38A TO263-7
