SCT3060AW7TL
Numéro de produit du fabricant:

SCT3060AW7TL

Product Overview

Fabricant:

Rohm Semiconductor

DiGi Electronics Numéro de pièce:

SCT3060AW7TL-DG

Description:

SICFET N-CH 650V 38A TO263-7
Description détaillée:
N-Channel 650 V 38A (Tc) 159W Surface Mount TO-263-7

Inventaire:

1189 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12977941
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SOUMETTRE

SCT3060AW7TL Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
ROHM Semiconductor
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
SiCFET (Silicon Carbide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
650 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
38A (Tc)
rds activé (max) @ id, vgs
78mOhm @ 13A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.6V @ 6.67mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
58 nC @ 18 V
Vgs (max.)
+22V, -4V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
852 pF @ 500 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
159W
Température de fonctionnement
175°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-263-7
Emballage / Caisse
TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Numéro de produit de base
SCT3060

Fiche technique & Documents

Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard
1,000
Autres noms
846-SCT3060AW7TLCT
846-SCT3060AW7TLDKR
846-SCT3060AW7TLTR

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
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