HUF75852G3
Numéro de produit du fabricant:

HUF75852G3

Product Overview

Fabricant:

Fairchild Semiconductor

DiGi Electronics Numéro de pièce:

HUF75852G3-DG

Description:

MOSFET N-CH 150V 75A TO247-3
Description détaillée:
N-Channel 150 V 75A (Tc) 500W (Tc) Through Hole TO-247

Inventaire:

292 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12947690
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SOUMETTRE

HUF75852G3 Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Emballage
Bulk
Série
UltraFET™
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
150 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
75A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
16mOhm @ 75A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
480 nC @ 20 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
7690 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
500W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-247
Emballage / Caisse
TO-247-3

Fiche technique & Documents

Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard
35
Autres noms
2156-HUF75852G3
ONSONSHUF75852G3

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Statut REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
Certification DIGI
Produits Connexes
taiwan-semiconductor

TSM035NB04CZ

MOSFET N-CH 40V 18A/157A TO220

international-rectifier

IRF6620TRPBF

IRF6620 - 12V-300V N-CHANNEL POW

stmicroelectronics

STP21NM50N

MOSFET N-CH 500V 18A TO220AB

nexperia

PSMN1R9-40PL,127

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1