Numéro de produit du fabricant:
HUF75545P3
Product Overview
Fabricant:
Fairchild Semiconductor
DiGi Electronics Numéro de pièce:
HUF75545P3-DG
Description:
N-CHANNEL ULTRAFET POWER MOSFET
Description détaillée:
N-Channel 80 V 75A (Tc) 270W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventaire:
1000 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12947662
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SOUMETTRE
HUF75545P3 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Emballage
Bulk
Série
UltraFET™
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
80 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
75A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
10mOhm @ 75A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
235 nC @ 20 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
3750 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
270W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-220-3
Emballage / Caisse
TO-220-3
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
210
Autres noms
FAIFSCHUF75545P3
2156-HUF75545P3
Classification environnementale et d'exportation
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
Certification DIGI
Produits Connexes
STD9NM60N
MOSFET N-CH 600V 6.5A DPAK
A2N7002HW-HF
MOSFET N-CH 60V 300MA SOT323
PSMN3R4-30BL,118
NOW NEXPERIA PSMN3R4-30BL - 100A
