Numéro de produit du fabricant:
HUF75321P3
Product Overview
Fabricant:
Fairchild Semiconductor
DiGi Electronics Numéro de pièce:
HUF75321P3-DG
Description:
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3
Description détaillée:
N-Channel 55 V 35A (Tc) 93W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventaire:
13417 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12947421
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SOUMETTRE
HUF75321P3 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Emballage
Bulk
Série
UltraFET™
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
55 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
35A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
34mOhm @ 35A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
44 nC @ 20 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
680 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
93W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-220-3
Emballage / Caisse
TO-220-3
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
468
Autres noms
2156-HUF75321P3
FAIFSCHUF75321P3
Classification environnementale et d'exportation
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
Certification DIGI
Produits Connexes
PMN28UN,135
MOSFET N-CH 12V 5.7A 6TSOP
IRF7580MTRPBF
IRF7580 - 12V-300V N-CHANNEL POW
FDP070AN06A0
MOSFET N-CH 60V 15A/80A TO220-3
