HUF75631S3ST
Numéro de produit du fabricant:

HUF75631S3ST

Product Overview

Fabricant:

Fairchild Semiconductor

DiGi Electronics Numéro de pièce:

HUF75631S3ST-DG

Description:

MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK
Description détaillée:
N-Channel 100 V 33A (Tc) 120W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

Inventaire:

321 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12947464
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SOUMETTRE

HUF75631S3ST Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Emballage
Bulk
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
100 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
33A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
40mOhm @ 33A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
79 nC @ 20 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1220 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
120W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-263 (D2PAK)
Emballage / Caisse
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB

Fiche technique & Documents

Fiches techniques
HUF75631S3ST Datasheet

Informations supplémentaires

Forfait standard
132
Autres noms
FAIFSCHUF75631S3ST
2156-HUF75631S3ST

Classification environnementale et d'exportation

ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
Certification DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Produits Connexes
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