FQPF7N80C
Numéro de produit du fabricant:

FQPF7N80C

Product Overview

Fabricant:

Fairchild Semiconductor

DiGi Electronics Numéro de pièce:

FQPF7N80C-DG

Description:

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6
Description détaillée:
N-Channel 800 V 6.6A (Tc) 56W (Tc) Through Hole TO-220F-3

Inventaire:

1000 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12946632
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SOUMETTRE

FQPF7N80C Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Emballage
Bulk
Série
QFET®
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
800 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
6.6A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
1.9Ohm @ 3.3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
35 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1680 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
56W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-220F-3
Emballage / Caisse
TO-220-3 Full Pack

Fiche technique & Documents

Fiches techniques
FQPF7N80C Datasheet

Informations supplémentaires

Forfait standard
249
Autres noms
ONSONSFQPF7N80C
2156-FQPF7N80C

Classification environnementale et d'exportation

ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
Certification DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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