FQP6N60C
Numéro de produit du fabricant:

FQP6N60C

Product Overview

Fabricant:

Fairchild Semiconductor

DiGi Electronics Numéro de pièce:

FQP6N60C-DG

Description:

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 5
Description détaillée:
N-Channel 600 V 5.5A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220-3

Inventaire:

20356 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12946638
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SOUMETTRE

FQP6N60C Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Emballage
Bulk
Série
QFET®
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
600 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
5.5A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
2Ohm @ 2.75A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
810 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
125W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-220-3
Emballage / Caisse
TO-220-3

Fiche technique & Documents

Fiches techniques
Datasheet

Informations supplémentaires

Forfait standard
353
Autres noms
2156-FQP6N60C
FAIFSCFQP6N60C

Classification environnementale et d'exportation

ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
Certification DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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