Numéro de produit du fabricant:
FDMS8025S
Product Overview
Fabricant:
Fairchild Semiconductor
DiGi Electronics Numéro de pièce:
FDMS8025S-DG
Description:
MOSFET N-CH 30V 24A/49A 8PQFN
Description détaillée:
N-Channel 30 V 24A (Ta), 49A (Tc) 2.5W (Ta), 50W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
Inventaire:
92079 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12946763
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SOUMETTRE
FDMS8025S Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Emballage
Bulk
Série
PowerTrench®, SyncFET™
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
30 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
24A (Ta), 49A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
2.8mOhm @ 24A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
47 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
3000 pF @ 15 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
2.5W (Ta), 50W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
8-PQFN (5x6)
Emballage / Caisse
8-PowerTDFN
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
520
Autres noms
2156-FDMS8025S
ONSFSCFDMS8025S
Classification environnementale et d'exportation
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
AUIRF4104S
MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
FQI4N80TU
MOSFET N-CH 800V 3.9A I2PAK
FQP12N60C
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
