Numéro de produit du fabricant:
FDC653N
Product Overview
Fabricant:
Fairchild Semiconductor
DiGi Electronics Numéro de pièce:
FDC653N-DG
Description:
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
Description détaillée:
N-Channel 30 V 5A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount SuperSOT™-6
Inventaire:
2505 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12946642
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
Minimum 1
(*) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE
FDC653N Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Emballage
Bulk
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
30 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
5A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
35mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
17 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
350 pF @ 15 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
1.6W (Ta)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
SuperSOT™-6
Emballage / Caisse
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
1,192
Autres noms
FAIFSCFDC653N
2156-FDC653N
Classification environnementale et d'exportation
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
Certification DIGI
Produits Connexes
FDPF12N50FT
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
FDD8444
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
FDD8447L
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2
