Numéro de produit du fabricant:
IPP65R050CFD7AAKSA1
Product Overview
Fabricant:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Numéro de pièce:
IPP65R050CFD7AAKSA1-DG
Description:
MOSFET N-CH 650V 45A TO220-3
Description détaillée:
N-Channel 650 V 45A (Tc) 227W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Inventaire:
12978134
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SOUMETTRE
IPP65R050CFD7AAKSA1 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Infineon Technologies
Emballage
Tube
Série
*
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
650 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
45A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
50mOhm @ 24.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 1.24mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
102 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
4975 pF @ 400 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
227W (Tc)
Température de fonctionnement
-40°C ~ 150°C (TJ)
Grade
Automotive
Qualification
AEC-Q101
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
PG-TO220-3
Emballage / Caisse
TO-220-3
Numéro de produit de base
IPP65R050
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
50
Autres noms
448-IPP65R050CFD7AAKSA1
SP003793132
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
IPWS65R050CFD7AXKSA1
FABRICANT
Infineon Technologies
QUANTITÉ DISPONIBLE
81
NUMÉRO DE PIÈCE
IPWS65R050CFD7AXKSA1-DG
PRIX UNITAIRE
6.44
TYPE DE SUBSTITUT
Parametric Equivalent
Certification DIGI
Produits Connexes
BUK7611-55A,118
NOW NEXPERIA BUK7611-55A - 75A,
IPW65R099CFD7AXKSA1
MOSFET N-CH 650V 24A TO247-3-41
AON6104FH
MOSFET N-CH 8DFN 5X6
