FDPF55N06
Numéro de produit du fabricant:

FDPF55N06

Product Overview

Fabricant:

Fairchild Semiconductor

DiGi Electronics Numéro de pièce:

FDPF55N06-DG

Description:

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 5
Description détaillée:
N-Channel 60 V 55A (Tc) 48W (Tc) Through Hole TO-220F-3

Inventaire:

102900 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12946532
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SOUMETTRE

FDPF55N06 Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Emballage
Bulk
Série
UniFET™
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
60 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
55A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
22mOhm @ 27.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
37 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±25V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1510 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
48W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-220F-3
Emballage / Caisse
TO-220-3 Full Pack

Fiche technique & Documents

Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard
344
Autres noms
2156-FDPF55N06
FAIFSCFDPF55N06

Classification environnementale et d'exportation

ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
Certification DIGI
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