IRL60SL216
Numéro de produit du fabricant:

IRL60SL216

Product Overview

Fabricant:

International Rectifier

DiGi Electronics Numéro de pièce:

IRL60SL216-DG

Description:

IRL60SL216 - 12V-300V N-CHANNEL
Description détaillée:
N-Channel 60 V 195A (Tc) 375W (Tc) Through Hole TO-262-3

Inventaire:

1000 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12946540
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE

IRL60SL216 Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Emballage
Bulk
Série
HEXFET®, StrongIRFET™
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
60 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
195A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
1.95mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
255 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
15330 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
375W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-262-3
Emballage / Caisse
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA

Fiche technique & Documents

Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard
65
Autres noms
INFIRFIRL60SL216
2156-IRL60SL216-IR

Classification environnementale et d'exportation

ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
Certification DIGI
Produits Connexes
stmicroelectronics

STB100NF04T4

MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK

international-rectifier

IRFU7440PBF

IRFU7440 - 12V-300V N-CHANNEL PO

international-rectifier

IRF6716MTRPBF

IRF6716 - 12V-300V N-CHANNEL POW

fairchild-semiconductor

FQPF5N50CYDTU

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 5