Numéro de produit du fabricant:
FQI13N50CTU
Product Overview
Fabricant:
Fairchild Semiconductor
DiGi Electronics Numéro de pièce:
FQI13N50CTU-DG
Description:
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Description détaillée:
N-Channel 500 V 13A (Tc) 195W (Tc) Through Hole TO-262 (I2PAK)
Inventaire:
14185 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12947097
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
Minimum 1
hy6V
(*) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE
FQI13N50CTU Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Emballage
Bulk
Série
QFET®
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
500 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
13A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
480mOhm @ 6.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
56 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
2055 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
195W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-262 (I2PAK)
Emballage / Caisse
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
212
Autres noms
FAIFSCFQI13N50CTU
2156-FQI13N50CTU
Classification environnementale et d'exportation
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
Certification DIGI
Produits Connexes
FDS9400A
MOSFET P-CH 30V 3.4A 8SOIC
FQA9N90-F109
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 8
N0301N-T1-AT
N-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANS
