Numéro de produit du fabricant:
FDD6612A
Product Overview
Fabricant:
Fairchild Semiconductor
DiGi Electronics Numéro de pièce:
FDD6612A-DG
Description:
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 9
Description détaillée:
N-Channel 30 V 9.5A (Ta), 30A (Tc) 2.8W (Ta), 36W (Tc) Surface Mount TO-252 (DPAK)
Inventaire:
262253 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12946719
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SOUMETTRE
FDD6612A Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Emballage
Bulk
Série
PowerTrench®
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
30 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
9.5A (Ta), 30A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
20mOhm @ 9.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
9.4 nC @ 5 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
660 pF @ 15 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
2.8W (Ta), 36W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-252 (DPAK)
Emballage / Caisse
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
598
Autres noms
2156-FDD6612A
FAIFSCFDD6612A
Classification environnementale et d'exportation
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
Certification DIGI
Produits Connexes
AUIRF3805L
MOSFET N-CH 55V 160A TO262
FDMS0349
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
FCPF2250N80Z
MOSFET N-CH 800V 2.6A TO220F
