Numéro de produit du fabricant:
FCP260N60E
Product Overview
Fabricant:
Fairchild Semiconductor
DiGi Electronics Numéro de pièce:
FCP260N60E-DG
Description:
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, N
Description détaillée:
N-Channel 600 V 15A (Tc) 156W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventaire:
200 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12946233
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SOUMETTRE
FCP260N60E Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Emballage
Bulk
Série
SuperFET® II
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
600 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
15A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
260mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
62 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
2500 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
156W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-220-3
Emballage / Caisse
TO-220-3
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
200
Autres noms
FAIFSCFCP260N60E
2156-FCP260N60E
Classification environnementale et d'exportation
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
Certification DIGI
Produits Connexes
BUK765R2-40B,118
TRANSISTOR >30MHZ
FCP104N60
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3
AUIRFP1405-203
AUIRFP1405 - 55V-60V N-CHANNEL A
