Numéro de produit du fabricant:
FCP104N60
Product Overview
Fabricant:
Fairchild Semiconductor
DiGi Electronics Numéro de pièce:
FCP104N60-DG
Description:
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3
Description détaillée:
N-Channel 600 V 37A (Tc) 357W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventaire:
129 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12946238
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SOUMETTRE
FCP104N60 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Emballage
Bulk
Série
SuperFET® II
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
600 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
37A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
104mOhm @ 18.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
82 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
4165 pF @ 380 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
357W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-220-3
Emballage / Caisse
TO-220-3
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
93
Autres noms
2156-FCP104N60
ONSFSCFCP104N60
Classification environnementale et d'exportation
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
Certification DIGI
Produits Connexes
AUIRFP1405-203
AUIRFP1405 - 55V-60V N-CHANNEL A
2SK3815-DL-E
2SK3815 - N-CHANNEL, MOSFET
AUIRL3705ZS
MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK