Numéro de produit du fabricant:
FCH76N60N
Product Overview
Fabricant:
Fairchild Semiconductor
DiGi Electronics Numéro de pièce:
FCH76N60N-DG
Description:
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7
Description détaillée:
N-Channel 600 V 76A (Tc) 543W (Tc) Through Hole TO-247
Inventaire:
1603 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12946133
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SOUMETTRE
FCH76N60N Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Emballage
Bulk
Série
SupreMOS™
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
600 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
76A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
36mOhm @ 38A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
285 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
12385 pF @ 100 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
543W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-247
Emballage / Caisse
TO-247-3
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
20
Autres noms
2156-FCH76N60N
FAIFSCFCH76N60N
Classification environnementale et d'exportation
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
BUK9675-55A118
NOW NEXPERIA BUK9675-55A 20A, 55
FCPF11N60NT
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
2SJ361RYTR-E
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2
