EPC2030ENGRT
Numéro de produit du fabricant:

EPC2030ENGRT

Product Overview

Fabricant:

EPC

DiGi Electronics Numéro de pièce:

EPC2030ENGRT-DG

Description:

GANFET NCH 40V 31A DIE
Description détaillée:
N-Channel 40 V 31A (Ta) Surface Mount Die

Inventaire:

12817996
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE

EPC2030ENGRT Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
EPC
Emballage
-
Série
eGaN®
État du produit
Discontinued at Digi-Key
FET Type
N-Channel
Technologie
GaNFET (Gallium Nitride)
Tension de vidange à la source (Vdss)
40 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
31A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
5V
rds activé (max) @ id, vgs
2.4mOhm @ 30A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 16mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
18 nC @ 5 V
Vgs (max.)
+6V, -4V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1900 pF @ 20 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
-
Température de fonctionnement
-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
Die
Emballage / Caisse
Die
Numéro de produit de base
EPC20

Fiche technique & Documents

Fiche de Données HTML
Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard
500
Autres noms
917-EPC2030ENGRDKR
917-EPC2030ENGRCT
917-EPC2030ENGRTR

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0040
Certification DIGI
Produits Connexes
rohm-semi

R5011FNX

MOSFET N-CH 500V 11A TO-220FM

infineon-technologies

BSO613SPVGXUMA1

MOSFET P-CH 8-SOIC

infineon-technologies

IRFR5410TRR

MOSFET P-CH 100V 13A DPAK

epc

EPC2016C

GANFET N-CH 100V 18A DIE