FBG30N04CC
Numéro de produit du fabricant:

FBG30N04CC

Product Overview

Fabricant:

EPC Space, LLC

DiGi Electronics Numéro de pièce:

FBG30N04CC-DG

Description:

GAN FET HEMT 300V4A COTS 4FSMD-C
Description détaillée:
N-Channel 300 V 4A (Tc) Surface Mount 4-SMD

Inventaire:

58 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12997462
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SOUMETTRE

FBG30N04CC Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
EPC Space
Emballage
Bulk
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
GaNFET (Gallium Nitride)
Tension de vidange à la source (Vdss)
300 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
4A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
5V
rds activé (max) @ id, vgs
404mOhm @ 4A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.8V @ 600µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
2.6 nC @ 5 V
Vgs (max.)
+6V, -4V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
450 pF @ 150 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
-
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
4-SMD
Emballage / Caisse
4-SMD, No Lead

Informations supplémentaires

Forfait standard
169
Autres noms
4107-FBG30N04CC

Classification environnementale et d'exportation

Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
Not Applicable
ECCN
9A515E1
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
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