Numéro de produit du fabricant:
DMTH83M2SPSWQ-13
Product Overview
Fabricant:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Numéro de pièce:
DMTH83M2SPSWQ-13-DG
Description:
MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI50
Description détaillée:
N-Channel 80 V 165A (Tc) 4.1W (Ta), 150W (Tc) Surface Mount, Wettable Flank PowerDI5060-8 (Type UX)
Inventaire:
13242595
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SOUMETTRE
DMTH83M2SPSWQ-13 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Diodes Incorporated
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
80 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
165A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
2.9mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
87 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
5466 pF @ 40 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
4.1W (Ta), 150W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
Automotive
Qualification
AEC-Q101
Type de montage
Surface Mount, Wettable Flank
Ensemble d’appareils du fournisseur
PowerDI5060-8 (Type UX)
Emballage / Caisse
8-PowerTDFN
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
2,500
Autres noms
31-DMTH83M2SPSWQ-13TR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Statut REACH
REACH Unaffected
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
DMTH83M2SPSW-13
FABRICANT
Diodes Incorporated
QUANTITÉ DISPONIBLE
0
NUMÉRO DE PIÈCE
DMTH83M2SPSW-13-DG
PRIX UNITAIRE
1.04
TYPE DE SUBSTITUT
Parametric Equivalent
Certification DIGI
Produits Connexes
DMP3045LVTQ-13
MOSFET BVDSS: 25V~30V TSOT26 T&R
DMTH10H4M6SPSWQ-13
MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI50
DMTH10H4M5LPSW-13
MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI50
