DMTH10H4M5LPSW-13
Numéro de produit du fabricant:

DMTH10H4M5LPSW-13

Product Overview

Fabricant:

Diodes Incorporated

DiGi Electronics Numéro de pièce:

DMTH10H4M5LPSW-13-DG

Description:

MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI50
Description détaillée:
N-Channel 100 V 20A (Ta), 107A (Tc) 4.7W (Ta), 136W (Tc) Surface Mount, Wettable Flank PowerDI5060-8 (Type UX)

Inventaire:

13242600
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SOUMETTRE

DMTH10H4M5LPSW-13 Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Diodes Incorporated
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
100 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
20A (Ta), 107A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
4.9mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
80 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
4843 pF @ 50 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
4.7W (Ta), 136W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount, Wettable Flank
Ensemble d’appareils du fournisseur
PowerDI5060-8 (Type UX)
Emballage / Caisse
8-PowerTDFN

Fiche technique & Documents

Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard
2,500
Autres noms
31-DMTH10H4M5LPSW-13TR

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Statut REACH
REACH Unaffected

Modèles alternatifs

NUMÉRO DE PIÈCE
DMTH10H4M5LPSWQ-13
FABRICANT
Diodes Incorporated
QUANTITÉ DISPONIBLE
2450
NUMÉRO DE PIÈCE
DMTH10H4M5LPSWQ-13-DG
PRIX UNITAIRE
0.83
TYPE DE SUBSTITUT
Parametric Equivalent
NUMÉRO DE PIÈCE
DMTH10H4M5LPSW
FABRICANT
Diodes Incorporated
QUANTITÉ DISPONIBLE
2500
NUMÉRO DE PIÈCE
DMTH10H4M5LPSW-DG
PRIX UNITAIRE
0.79
TYPE DE SUBSTITUT
Parametric Equivalent
Certification DIGI
Produits Connexes
diodes

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MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI333