Numéro de produit du fabricant:
DMTH6002LPSW-13
Product Overview
Fabricant:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Numéro de pièce:
DMTH6002LPSW-13-DG
Description:
MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI506
Description détaillée:
N-Channel 60 V 205A (Tc) 3W (Ta), 167W (Tc) Surface Mount PowerDI5060-8 (SWP)
Inventaire:
13000736
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SOUMETTRE
DMTH6002LPSW-13 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Diodes Incorporated
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
60 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
205A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
2mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
131 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
8289 pF @ 30 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
3W (Ta), 167W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
PowerDI5060-8 (SWP)
Emballage / Caisse
8-PowerTDFN
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
2,500
Autres noms
31-DMTH6002LPSW-13TR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
DMTH6002LPSWQ-13
FABRICANT
Diodes Incorporated
QUANTITÉ DISPONIBLE
2470
NUMÉRO DE PIÈCE
DMTH6002LPSWQ-13-DG
PRIX UNITAIRE
0.90
TYPE DE SUBSTITUT
Parametric Equivalent
Certification DIGI
Produits Connexes
DMT35M4LFDF-13
MOSFET BVDSS: 25V~30V U-DFN2020-
NVTFS040N10MCLTAG
PTNG 100V LL U8FL
DMN3112SQ-7
MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R