Numéro de produit du fabricant:
DMT35M4LFDF-13
Product Overview
Fabricant:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Numéro de pièce:
DMT35M4LFDF-13-DG
Description:
MOSFET BVDSS: 25V~30V U-DFN2020-
Description détaillée:
N-Channel 30 V 13A (Tc) 860mW (Ta) Surface Mount U-DFN2020-6 (Type F)
Inventaire:
13000740
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SOUMETTRE
DMT35M4LFDF-13 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Diodes Incorporated
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
30 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
13A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
6mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
14.9 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1009 pF @ 15 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
860mW (Ta)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
U-DFN2020-6 (Type F)
Emballage / Caisse
6-UDFN Exposed Pad
Numéro de produit de base
DMT35M4LF
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
10,000
Autres noms
31-DMT35M4LFDF-13TR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
DMT35M4LFDF-7
FABRICANT
Diodes Incorporated
QUANTITÉ DISPONIBLE
4455
NUMÉRO DE PIÈCE
DMT35M4LFDF-7-DG
PRIX UNITAIRE
0.13
TYPE DE SUBSTITUT
Parametric Equivalent
Certification DIGI
Produits Connexes
NVTFS040N10MCLTAG
PTNG 100V LL U8FL
DMN3112SQ-7
MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R
DMN65D8LV-7
MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT563 T&R
