DMTH43M8LFGQ-13
Numéro de produit du fabricant:

DMTH43M8LFGQ-13

Product Overview

Fabricant:

Diodes Incorporated

DiGi Electronics Numéro de pièce:

DMTH43M8LFGQ-13-DG

Description:

MOSFET N-CH 40V PWRDI3333
Description détaillée:
N-Channel 40 V 24A (Ta), 100A (Tc) 2.62W (Ta), 65.2W (Tc) Surface Mount POWERDI3333-8

Inventaire:

7543 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12949682
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SOUMETTRE

DMTH43M8LFGQ-13 Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Diodes Incorporated
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
40 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
24A (Ta), 100A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
3mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
40.1 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
2798 pF @ 20 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
2.62W (Ta), 65.2W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
Automotive
Qualification
AEC-Q101
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
PowerDI3333-8
Emballage / Caisse
8-PowerVDFN
Numéro de produit de base
DMTH43

Fiche technique & Documents

Fiche de Données HTML
Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard
3,000
Autres noms
31-DMTH43M8LFGQ-13TR
31-DMTH43M8LFGQ-13DKR
31-DMTH43M8LFGQ-13CT
DMTH43M8LFGQ-13DI
DMTH43M8LFGQ-13DI-DG

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
toshiba-semiconductor-and-storage

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