DMJ70H1D3SH3
Numéro de produit du fabricant:

DMJ70H1D3SH3

Product Overview

Fabricant:

Diodes Incorporated

DiGi Electronics Numéro de pièce:

DMJ70H1D3SH3-DG

Description:

MOSFET N-CH 700V 4.6A TO251
Description détaillée:
N-Channel 700 V 4.6A (Tc) 41W (Tc) Through Hole TO-251 (Type TH3)

Inventaire:

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SOUMETTRE

DMJ70H1D3SH3 Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Diodes Incorporated
Emballage
-
Série
-
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
700 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
4.6A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
1.3Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
13.9 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
351 pF @ 50 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
41W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-251 (Type TH3)
Emballage / Caisse
TO-251-3 Stub Leads, IPak
Numéro de produit de base
DMJ70

Informations supplémentaires

Forfait standard
75
Autres noms
DMJ70H1D3SH3-DG
DMJ70H1D3SH3DI

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modèles alternatifs

NUMÉRO DE PIÈCE
IPS70R1K4P7SAKMA1
FABRICANT
Infineon Technologies
QUANTITÉ DISPONIBLE
0
NUMÉRO DE PIÈCE
IPS70R1K4P7SAKMA1-DG
PRIX UNITAIRE
0.18
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMÉRO DE PIÈCE
IPS80R600P7AKMA1
FABRICANT
Infineon Technologies
QUANTITÉ DISPONIBLE
0
NUMÉRO DE PIÈCE
IPS80R600P7AKMA1-DG
PRIX UNITAIRE
0.69
TYPE DE SUBSTITUT
Direct
Certification DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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