Numéro de produit du fabricant:
DMT8007LPSW-13
Product Overview
Fabricant:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Numéro de pièce:
DMT8007LPSW-13-DG
Description:
MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI50
Description détaillée:
N-Channel 80 V 100A (Tc) 1.5W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount, Wettable Flank PowerDI5060-8 (Type UX)
Inventaire:
1960 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12992684
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SOUMETTRE
DMT8007LPSW-13 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Diodes Incorporated
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
80 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
100A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
6.5mOhm @ 14A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.8V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
45.3 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
2682 pF @ 40 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
1.5W (Ta), 104W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount, Wettable Flank
Ensemble d’appareils du fournisseur
PowerDI5060-8 (Type UX)
Emballage / Caisse
8-PowerTDFN
Numéro de produit de base
DMT8007
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
2,500
Autres noms
31-DMT8007LPSW-13TR
31-DMT8007LPSW-13CT
31-DMT8007LPSW-13DKR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
DMP2042UCP4-7
MOSFET BVDSS: 8V~24V X1-DSN1010-
DMTH15H017SPSWQ-13
MOSFET BVDSS: 101V~250V PowerDI5
DMT10H032LK3-13
MOSFET BVDSS: 61V~100V TO252 T&R
