DMPH33M8SPSWQ-13
Numéro de produit du fabricant:

DMPH33M8SPSWQ-13

Product Overview

Fabricant:

Diodes Incorporated

DiGi Electronics Numéro de pièce:

DMPH33M8SPSWQ-13-DG

Description:

MOSFET BVDSS: 25V~30V PowerDI506
Description détaillée:
P-Channel 30 V 100A (Tc) 1.7W (Ta) Surface Mount PowerDI5060-8 (Type Q)

Inventaire:

12992705
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE

DMPH33M8SPSWQ-13 Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Diodes Incorporated
Emballage
Bulk
Série
-
État du produit
Active
FET Type
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
30 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
100A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
3.8mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
81 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
3775 pF @ 15 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
1.7W (Ta)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
Automotive
Qualification
AEC-Q101
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
PowerDI5060-8 (Type Q)
Emballage / Caisse
8-PowerTDFN
Numéro de produit de base
DMPH33

Fiche technique & Documents

Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard
2,500
Autres noms
31-DMPH33M8SPSWQ-13

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
infineon-technologies

ISC030N12NM6ATMA1

OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR,120V

infineon-technologies

ISZ330N12LM6ATMA1

OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR,120V

infineon-technologies

IPT017N12NM6ATMA1

OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR,120V

infineon-technologies

ISC037N12NM6ATMA1

OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR,120V