Numéro de produit du fabricant:
DMT67M8LK3-13
Product Overview
Fabricant:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Numéro de pièce:
DMT67M8LK3-13-DG
Description:
MOSFET BVDSS: 41V~60V TO252 T&R
Description détaillée:
N-Channel 60 V 87A (Tc) 3.1W (Ta), 89.3W (Tc) Surface Mount TO-252 (DPAK)
Inventaire:
13000804
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SOUMETTRE
DMT67M8LK3-13 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Diodes Incorporated
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
60 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
87A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
7mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
37.5 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
2130 pF @ 30 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
3.1W (Ta), 89.3W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-252 (DPAK)
Emballage / Caisse
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
2,500
Autres noms
31-DMT67M8LK3-13TR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
NTTFS012N10MDTAG
PTNG 100V LOW Q 12MOHM N-FET, U8
DMN1008UFDFQ-7
MOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN2020-6
TSM650P03CX
-30V, -4.1A, SINGLE P-CHANNEL PO
