Numéro de produit du fabricant:
DMN1008UFDFQ-7
Product Overview
Fabricant:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Numéro de pièce:
DMN1008UFDFQ-7-DG
Description:
MOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN2020-6
Description détaillée:
N-Channel 12 V 12.2A (Ta) 700mW Surface Mount U-DFN2020-6 (Type F)
Inventaire:
13000809
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SOUMETTRE
DMN1008UFDFQ-7 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Diodes Incorporated
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
12 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
12.2A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
rds activé (max) @ id, vgs
8mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
23.4 nC @ 8 V
Vgs (max.)
±8V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
995 pF @ 6 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
700mW
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade
Automotive
Qualification
AEC-Q101
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
U-DFN2020-6 (Type F)
Emballage / Caisse
6-UDFN Exposed Pad
Numéro de produit de base
DMN1008
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
3,000
Autres noms
31-DMN1008UFDFQ-7TR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
TSM650P03CX
-30V, -4.1A, SINGLE P-CHANNEL PO
DMTH12H007SPS-13
MOSFET BVDSS: 101V~250V POWERDI5
DMT10H9M9LCT
MOSFET BVDSS: 61V~100V TO220AB T
