Numéro de produit du fabricant:
DMT6009LFG-13
Product Overview
Fabricant:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Numéro de pièce:
DMT6009LFG-13-DG
Description:
MOSFET N-CH 60V 11A PWRDI3333
Description détaillée:
N-Channel 60 V 11A (Ta), 34A (Tc) 2.08W (Ta), 19.2W (Tc) Surface Mount POWERDI3333-8
Inventaire:
12897137
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SOUMETTRE
DMT6009LFG-13 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Diodes Incorporated
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
60 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
11A (Ta), 34A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
10mOhm @ 13.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
33.5 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±16V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1925 pF @ 30 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
2.08W (Ta), 19.2W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
PowerDI3333-8
Emballage / Caisse
8-PowerVDFN
Numéro de produit de base
DMT6009
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
3,000
Autres noms
DMT6009LFG-13DI
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
DMT6009LFG-7
FABRICANT
Diodes Incorporated
QUANTITÉ DISPONIBLE
4168
NUMÉRO DE PIÈCE
DMT6009LFG-7-DG
PRIX UNITAIRE
0.37
TYPE DE SUBSTITUT
Parametric Equivalent
NUMÉRO DE PIÈCE
BSZ110N06NS3GATMA1
FABRICANT
Infineon Technologies
QUANTITÉ DISPONIBLE
16802
NUMÉRO DE PIÈCE
BSZ110N06NS3GATMA1-DG
PRIX UNITAIRE
0.30
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
Certification DIGI
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