DMT6006LSS-13
Numéro de produit du fabricant:

DMT6006LSS-13

Product Overview

Fabricant:

Diodes Incorporated

DiGi Electronics Numéro de pièce:

DMT6006LSS-13-DG

Description:

MOSFET BVDSS: 41V~60V SO-8 T&R 2
Description détaillée:
N-Channel 60 V 11.9A (Ta) 1.38W (Ta) Surface Mount 8-SO

Inventaire:

12979299
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SOUMETTRE

DMT6006LSS-13 Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Diodes Incorporated
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
60 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
11.9A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
6.5mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
34.9 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
2162 pF @ 30 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
1.38W (Ta)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
8-SO
Emballage / Caisse
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Fiche technique & Documents

Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard
2,500
Autres noms
31-DMT6006LSS-13DKR
31-DMT6006LSS-13CT
31-DMT6006LSS-13TR

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
diodes

DMN3028L-13

MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R

diodes

DMTH10H1M7STLW-13

MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI10

international-rectifier

IRF6644TRPBF

IRF6644 - 12V-300V N-CHANNEL POW

diodes

DMN3009LFVWQ-7

MOSFET BVDSS: 25V~30V POWERDI333