IRF6644TRPBF
Numéro de produit du fabricant:

IRF6644TRPBF

Product Overview

Fabricant:

International Rectifier

DiGi Electronics Numéro de pièce:

IRF6644TRPBF-DG

Description:

IRF6644 - 12V-300V N-CHANNEL POW
Description détaillée:
N-Channel 100 V 10.3A (Ta), 60A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MN

Inventaire:

602356 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12979315
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SOUMETTRE

IRF6644TRPBF Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Emballage
Bulk
Série
HEXFET®
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
100 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
10.3A (Ta), 60A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
13mOhm @ 10.3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.8V @ 150µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
47 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
2210 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
2.8W (Ta), 89W (Tc)
Température de fonctionnement
-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
DIRECTFET™ MN
Emballage / Caisse
DirectFET™ Isometric MN

Fiche technique & Documents

Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard
214
Autres noms
IFEINFIRF6644TRPBF
2156-IRF6644TRPBF

Classification environnementale et d'exportation

ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
diodes

DMN3009LFVWQ-7

MOSFET BVDSS: 25V~30V POWERDI333

diodes

DMP31D7L-13

MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R

onsemi

NVMFWS005N10MCLT1G

PTNG 100V LL SO8FL

onsemi

NVH4L075N065SC1

SIC MOS TO247-4L 650V