Numéro de produit du fabricant:
DMT35M4LPSW-13
Product Overview
Fabricant:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Numéro de pièce:
DMT35M4LPSW-13-DG
Description:
MOSFET BVDSS: 25V~30V POWERDI506
Description détaillée:
N-Channel 30 V 18.9A (Ta), 71.1A (Tc) 1.5W (Ta) Surface Mount, Wettable Flank PowerDI5060-8 (Type UX)
Inventaire:
13269120
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SOUMETTRE
DMT35M4LPSW-13 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Diodes Incorporated
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
30 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
18.9A (Ta), 71.1A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
5.5mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
16 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1029 pF @ 15 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
1.5W (Ta)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Type de montage
Surface Mount, Wettable Flank
Ensemble d’appareils du fournisseur
PowerDI5060-8 (Type UX)
Emballage / Caisse
8-PowerTDFN
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
2,500
Autres noms
31-DMT35M4LPSW-13TR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Statut REACH
REACH Unaffected
Certification DIGI
Produits Connexes
IMDQ75R140M1HXUMA1
SILICON CARBIDE MOSFET
DMT15H053SPSW-13
MOSFET BVDSS: 101V~250V POWERDI5
IPP029N06NXKSA1
TRENCH 40<-<100V
