DMT15H053SPSW-13
Numéro de produit du fabricant:

DMT15H053SPSW-13

Product Overview

Fabricant:

Diodes Incorporated

DiGi Electronics Numéro de pièce:

DMT15H053SPSW-13-DG

Description:

MOSFET BVDSS: 101V~250V POWERDI5
Description détaillée:
N-Channel 150 V 24A (Tc) 1.9W (Ta), 90W (Tc) Surface Mount, Wettable Flank PowerDI5060-8 (Type UX)

Inventaire:

13269124
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SOUMETTRE

DMT15H053SPSW-13 Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Diodes Incorporated
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
150 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
24A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
66mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
11.5 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
814 pF @ 75 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
1.9W (Ta), 90W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Type de montage
Surface Mount, Wettable Flank
Ensemble d’appareils du fournisseur
PowerDI5060-8 (Type UX)
Emballage / Caisse
8-PowerTDFN

Fiche technique & Documents

Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard
2,500
Autres noms
31-DMT15H053SPSW-13TR

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Statut REACH
REACH Unaffected
Certification DIGI
Produits Connexes
infineon-technologies

IPP029N06NXKSA1

TRENCH 40<-<100V

infineon-technologies

ISC015N06NM5LF2ATMA1

TRENCH 40<-<100V

infineon-technologies

IRFB4110PBFXKMA1

TRENCH >=100V

infineon-technologies

IAUCN04S7N006ATMA1

MOSFET_(20V 40V)