DMT3009LFVW-7

Numéro de produit du fabricant:

DMT3009LFVW-7

Product Overview

Fabricant:

Diodes Incorporated

DiGi Electronics Numéro de pièce:

DMT3009LFVW-7-DG

Description:

MOSFET N-CH 30V 12A PWRDI3333

Description détaillée:

N-Channel 30 V 12A (Ta), 50A (Tc) 2.3W (Ta) Surface Mount, Wettable Flank PowerDI3333-8 (SWP) Type UX

Inventaire:

650 Pièces Nouvelles Originales En Stock

12883509

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SOUMETTRE

DMT3009LFVW-7 Spécifications techniques

Catégorie

FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs

Fabricant

Diodes Incorporated

Emballage

Tape & Reel (TR)

Série

-

État du produit

Active

FET Type

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Tension de vidange à la source (Vdss)

30 V

Courant - drain continu (id) @ 25°C

12A (Ta), 50A (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

3.8V, 10V

rds activé (max) @ id, vgs

11mOhm @ 14.4A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

12 nC @ 10 V

Vgs (max.)

±20V

Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds

823 pF @ 15 V

Fonctionnalité FET

-

Dissipation de puissance (max.)

2.3W (Ta)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount, Wettable Flank

Ensemble d’appareils du fournisseur

PowerDI3333-8 (SWP) Type UX

Emballage / Caisse

8-PowerVDFN

Numéro de produit de base

DMT3009

Fiche technique & Documents

Fiche de Données HTML

DMT3009LFVW-7-DG

Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard

2,000

Autres noms

DMT3009LFVW-7-DG

31-DMT3009LFVW-7CT

31-DMT3009LFVW-7DKR

31-DMT3009LFVW-7TR

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS

ROHS3 Compliant

Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)

1 (Unlimited)

Statut REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Modèles alternatifs

NUMÉRO DE PIÈCE

TPH11003NL,LQ

FABRICANT

Toshiba Semiconductor and Storage

QUANTITÉ DISPONIBLE

2298

NUMÉRO DE PIÈCE

TPH11003NL,LQ-DG

PRIX UNITAIRE

0.23

TYPE DE SUBSTITUT

MFR Recommended

NUMÉRO DE PIÈCE

RQ3E120BNTB

FABRICANT

Rohm Semiconductor

QUANTITÉ DISPONIBLE

2880

NUMÉRO DE PIÈCE

RQ3E120BNTB-DG

PRIX UNITAIRE

0.16

TYPE DE SUBSTITUT

MFR Recommended

Certification DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Produits Connexes

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MOSFET N-CH 30V 380MA SOT323

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