Numéro de produit du fabricant:
DMT10H9M9LCT
Product Overview
Fabricant:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Numéro de pièce:
DMT10H9M9LCT-DG
Description:
MOSFET BVDSS: 61V~100V TO220AB T
Description détaillée:
N-Channel 100 V 101A (Tc) 2.3W (Ta), 156W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventaire:
13000818
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
Minimum 1
(*) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE
DMT10H9M9LCT Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Diodes Incorporated
Emballage
Tube
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
100 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
101A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
8.5mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
40.2 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
2309 pF @ 50 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
2.3W (Ta), 156W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-220-3
Emballage / Caisse
TO-220-3
Numéro de produit de base
DMT10
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
50
Autres noms
31-DMT10H9M9LCT
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
DMP3045LFVW-7
MOSFET BVDSS: 25V~30V POWERDI333
DMT3020LFDFQ-7
MOSFET BVDSS: 25V~30V U-DFN2020-
DMG1012UWQ-7
MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT323 T&R
