DMT10H015SPS-13
Numéro de produit du fabricant:

DMT10H015SPS-13

Product Overview

Fabricant:

Diodes Incorporated

DiGi Electronics Numéro de pièce:

DMT10H015SPS-13-DG

Description:

MOSFET N-CH 100V PWRDI5060
Description détaillée:
N-Channel 100 V 7.3A (Ta), 44A (Tc) 1.3W (Ta), 46W (Tc) Surface Mount PowerDI5060-8

Inventaire:

12888217
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SOUMETTRE

DMT10H015SPS-13 Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Diodes Incorporated
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
100 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
7.3A (Ta), 44A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
16mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
33.3 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1871 pF @ 50 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
1.3W (Ta), 46W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
PowerDI5060-8
Emballage / Caisse
8-PowerTDFN
Numéro de produit de base
DMT10

Fiche technique & Documents

Fiche de Données HTML
Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard
2,500

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modèles alternatifs

NUMÉRO DE PIÈCE
BSZ146N10LS5ATMA1
FABRICANT
Infineon Technologies
QUANTITÉ DISPONIBLE
19691
NUMÉRO DE PIÈCE
BSZ146N10LS5ATMA1-DG
PRIX UNITAIRE
0.57
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMÉRO DE PIÈCE
FDMS86183
FABRICANT
onsemi
QUANTITÉ DISPONIBLE
3234
NUMÉRO DE PIÈCE
FDMS86183-DG
PRIX UNITAIRE
0.55
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
Certification DIGI
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