Numéro de produit du fabricant:
DMN32D0LFB4-7B
Product Overview
Fabricant:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Numéro de pièce:
DMN32D0LFB4-7B-DG
Description:
MOSFET BVDSS: 25V-30V X2-DFN1006
Description détaillée:
N-Channel 30 V 440mA (Ta) 350mW (Ta) Surface Mount X2-DFN1006-3
Inventaire:
12888228
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
Minimum 1
(*) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE
DMN32D0LFB4-7B Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Diodes Incorporated
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
30 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
440mA (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 2.5V, 4.5V
rds activé (max) @ id, vgs
1.2Ohm @ 100mA, 4V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.2V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
0.6 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±10V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
44.8 pF @ 15 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
350mW (Ta)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
X2-DFN1006-3
Emballage / Caisse
3-XFDFN
Numéro de produit de base
DMN32
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
10,000
Autres noms
DMN32D0LFB4-7BDI
DMN32D0LFB4-7BDI-DG
31-DMN32D0LFB4-7BTR
31-DMN32D0LFB4-7BDKR
31-DMN32D0LFB4-7BCT
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
DMP2077UCA3-7
MOSFET P-CH 20V 4A X4-DSN1006-3
DMG302PU-7
MOSFET P-CH 25V 170MA SOT23-3
DMP3017SFV-13
MOSFET P-CH 30V 40A POWERDI3333