Numéro de produit du fabricant:
DMT10H010LCT
Product Overview
Fabricant:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Numéro de pièce:
DMT10H010LCT-DG
Description:
MOSFET N-CH 100V 98A TO220AB
Description détaillée:
N-Channel 100 V 98A (Tc) 2W (Ta), 139W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventaire:
43 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12884898
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SOUMETTRE
DMT10H010LCT Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Diodes Incorporated
Emballage
Tube
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
100 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
98A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
9.5mOhm @ 13A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
71 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
3000 pF @ 50 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
2W (Ta), 139W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-220-3
Emballage / Caisse
TO-220-3
Numéro de produit de base
DMT10
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
50
Autres noms
DMT10H010LCTDI
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
FDP100N10
FABRICANT
Fairchild Semiconductor
QUANTITÉ DISPONIBLE
2970
NUMÉRO DE PIÈCE
FDP100N10-DG
PRIX UNITAIRE
1.72
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMÉRO DE PIÈCE
IXFP130N10T2
FABRICANT
IXYS
QUANTITÉ DISPONIBLE
0
NUMÉRO DE PIÈCE
IXFP130N10T2-DG
PRIX UNITAIRE
3.09
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMÉRO DE PIÈCE
CSD19503KCS
FABRICANT
Texas Instruments
QUANTITÉ DISPONIBLE
390
NUMÉRO DE PIÈCE
CSD19503KCS-DG
PRIX UNITAIRE
0.67
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
Certification DIGI
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