Numéro de produit du fabricant:
DMG4N60SK3-13
Product Overview
Fabricant:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Numéro de pièce:
DMG4N60SK3-13-DG
Description:
MOSFET N-CH 600V 3.7A TO252 T&R
Description détaillée:
N-Channel 600 V 3.7A (Tc) 48W (Ta) Surface Mount TO-252-3
Inventaire:
12884910
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SOUMETTRE
DMG4N60SK3-13 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Diodes Incorporated
Emballage
-
Série
-
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
600 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
3.7A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
2.3Ohm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
14.3 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
532 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
48W (Ta)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-252-3
Emballage / Caisse
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Numéro de produit de base
DMG4
Informations supplémentaires
Forfait standard
2,500
Autres noms
DMG4N60SK3-13DITR
DMG4N60SK3-13DICT
DMG4N60SK3-13DIDKR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
FQD5N60CTM
FABRICANT
onsemi
QUANTITÉ DISPONIBLE
0
NUMÉRO DE PIÈCE
FQD5N60CTM-DG
PRIX UNITAIRE
0.42
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMÉRO DE PIÈCE
IXTY2N65X2
FABRICANT
IXYS
QUANTITÉ DISPONIBLE
0
NUMÉRO DE PIÈCE
IXTY2N65X2-DG
PRIX UNITAIRE
0.81
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
Certification DIGI
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