Numéro de produit du fabricant:
DMP6111SVTQ-7
Product Overview
Fabricant:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Numéro de pièce:
DMP6111SVTQ-7-DG
Description:
MOSFET BVDSS: 41V~60V TSOT26 T&R
Description détaillée:
P-Channel 60 V 2.7A (Ta) 1.1W (Ta) Surface Mount TSOT-26
Inventaire:
13269088
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SOUMETTRE
DMP6111SVTQ-7 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Diodes Incorporated
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
FET Type
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
60 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
2.7A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
115mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
23.2 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1283 pF @ 30 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
1.1W (Ta)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade
Automotive
Qualification
AEC-Q101
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
TSOT-26
Emballage / Caisse
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
3,000
Autres noms
31-DMP6111SVTQ-7TR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Statut REACH
REACH Unaffected
Certification DIGI
Produits Connexes
IAUMN10S5N016GATMA1
MOSFET_(75V 120V(
DMN39M1LSSQ-13
MOSFET BVDSS: 25V~30V SO-8 T&R 2
DMP4016SK3-13
MOSFET BVDSS: 31V~40V TO252 T&R