DMN39M1LSSQ-13
Numéro de produit du fabricant:

DMN39M1LSSQ-13

Product Overview

Fabricant:

Diodes Incorporated

DiGi Electronics Numéro de pièce:

DMN39M1LSSQ-13-DG

Description:

MOSFET BVDSS: 25V~30V SO-8 T&R 2
Description détaillée:
N-Channel 30 V 15A (Ta) 1.4W (Ta) Surface Mount 8-SO

Inventaire:

13269093
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SOUMETTRE

DMN39M1LSSQ-13 Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Diodes Incorporated
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
30 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
15A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
5.5mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
42 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
2311 pF @ 15 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
1.4W (Ta)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade
Automotive
Qualification
AEC-Q101
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
8-SO
Emballage / Caisse
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Fiche technique & Documents

Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard
2,500
Autres noms
31-DMN39M1LSSQ-13TR

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Statut REACH
REACH Unaffected
Certification DIGI
Produits Connexes
diodes

DMP4016SK3-13

MOSFET BVDSS: 31V~40V TO252 T&R

infineon-technologies

IRFB4020PBFXKMA1

TRENCH >=100V

diodes

DMPH4016SK3Q-13

MOSFET BVDSS: 31V~40V TO252 T&R

diodes

DMN3066LVT-7

MOSFET BVDSS: 25V~30V TSOT26 T&R