Numéro de produit du fabricant:
DMP1012USSQ-13
Product Overview
Fabricant:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Numéro de pièce:
DMP1012USSQ-13-DG
Description:
MOSFET BVDSS: 8V~24V SO-8 T&R 2.
Description détaillée:
P-Channel 12 V 8.5A (Ta) 1.3W (Ta) Surface Mount 8-SO
Inventaire:
13242510
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SOUMETTRE
DMP1012USSQ-13 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Diodes Incorporated
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
FET Type
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
12 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
8.5A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
rds activé (max) @ id, vgs
13.5mOhm @ 9A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
31 nC @ 8 V
Vgs (max.)
±8V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1344 pF @ 10 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
1.3W (Ta)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade
Automotive
Qualification
AEC-Q101
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
8-SO
Emballage / Caisse
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
2,500
Autres noms
31-DMP1012USSQ-13TR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Statut REACH
REACH Unaffected
Certification DIGI
Produits Connexes
DMP22D5UFB4Q-7B
MOSFET BVDSS: 8V~24V X2-DFN1006-
DMTH6016LPSWQ-13
MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI506
DMP21D1UTQ-7
MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT523 T&R
