Numéro de produit du fabricant:
DMTH6016LPSWQ-13
Product Overview
Fabricant:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Numéro de pièce:
DMTH6016LPSWQ-13-DG
Description:
MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI506
Description détaillée:
N-Channel 60 V 10.6A (Ta), 37.1A (Tc) 3W (Ta), 37.5W (Tc) Surface Mount, Wettable Flank PowerDI5060-8 (Type UX)
Inventaire:
13242512
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
Minimum 1
(*) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE
DMTH6016LPSWQ-13 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Diodes Incorporated
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
60 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
10.6A (Ta), 37.1A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
16mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
17 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
864 pF @ 30 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
3W (Ta), 37.5W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
Automotive
Qualification
AEC-Q101
Type de montage
Surface Mount, Wettable Flank
Ensemble d’appareils du fournisseur
PowerDI5060-8 (Type UX)
Emballage / Caisse
8-PowerTDFN
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
2,500
Autres noms
31-DMTH6016LPSWQ-13TR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Statut REACH
REACH Unaffected
Certification DIGI
Produits Connexes
DMP21D1UTQ-7
MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT523 T&R
DMP3025SFDF-7
MOSFET BVDSS: 25V~30V U-DFN2020-
DMTH10H010SPSWQ-13
MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI50
