Numéro de produit du fabricant:
DMN10H220LFVW-7
Product Overview
Fabricant:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Numéro de pièce:
DMN10H220LFVW-7-DG
Description:
MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI33
Description détaillée:
N-Channel 100 V 11A (Tc) 2.4W (Ta), 41W (Tc) Surface Mount, Wettable Flank PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Inventaire:
13000430
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
Minimum 1
(*) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE
DMN10H220LFVW-7 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Diodes Incorporated
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
100 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
11A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
222mOhm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
6.7 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
366 pF @ 50 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
2.4W (Ta), 41W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount, Wettable Flank
Ensemble d’appareils du fournisseur
PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Emballage / Caisse
8-PowerVDFN
Numéro de produit de base
DMN10
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
2,000
Autres noms
31-DMN10H220LFVW-7TR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
SQJ403BEEP-T1_BE3
P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET
DMP3028LFDEQ-13
MOSFET BVDSS: 25V~30V U-DFN2020-
9926
N20V,RD(MAX)<[email protected],RD(MAX)<30
