Numéro de produit du fabricant:
DMN39M1LK3-13
Product Overview
Fabricant:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Numéro de pièce:
DMN39M1LK3-13-DG
Description:
MOSFET BVDSS: 25V~30V TO252 T&R
Description détaillée:
N-Channel 30 V 17.9A (Ta), 89.3A (Tc) 1.4W (Ta), 65.7W (Tc) Surface Mount TO-252 (DPAK)
Inventaire:
2460 Pièces Nouvelles Originales En Stock
13309606
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SOUMETTRE
DMN39M1LK3-13 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Diodes Incorporated
Emballage
Bulk
Série
-
Emballage
Bulk
État de la pièce
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
30 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
17.9A (Ta), 89.3A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
5.5mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
38.6 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
2253 pF @ 15 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
1.4W (Ta), 65.7W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-252 (DPAK)
Emballage / Caisse
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Numéro de produit de base
DMN39
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
2,500
Autres noms
31-DMN39M1LK3-13
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
DMP31D7LQ-7
MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R
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MOSFET BVDSS: 25V~30V PowerDI333
DMTH10H032LFVWQ-13
MOSFET BVDSS: 61V~100V PowerDI33
